CN119108279A 半导体器件的制造方法及半导体器件 （深圳市创飞芯源半导体有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119108279A

(43)申请公布日2024.12.10

(21)申请号202411569699.3

(22)申请日2024.11.06

(71)申请人深圳市创飞芯源半导体有限公司

地址518000广东省深圳市宝安区新安街

道兴东社区69区洪浪北二路26号信义

领御研发中心8栋1615

(72)发明人杨旭刚田月姣

(74)专利代理机构北京高沃律师事务所11569

专利代理师宿慧妮

(51)Int.Cl.

H01L21/336(2006.01)

H01L21/28(2006.01)

H01L29/78(2006.01)

H01L29/423(2006.01)