CN119852842A 一种宽波长电吸收调制激光器芯片及其制备方法和应用 （武汉国科光领半导体科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119852842A

(43)申请公布日2025.04.18

(21)申请号202411971107.0

(22)申请日2024.12.30

(71)申请人武汉国科光领半导体科技有限公司

地址430200湖北省武汉市东湖新技术开

发区流芳园横路1号楚天传媒生产基

地二期1号楼1-2层

(72)发明人赵自闯蒋晨龙

(74)专利代理机构北京律谱知识产权代理有限

公司11457

专利代理师杨娟

(51)Int.Cl.

H01S5/026(2006.01)

权利要求书2页说明书4页附图2页

(54)发明名称

一种宽波长电吸收调制激光器芯片及其制

备方法和应用

(57)摘要

CN119852842A本发明涉及激光芯片技术领域，具体涉及一种宽波长电吸收调制激光器芯片及其制备方法和应用。本发明提供的宽波长电吸收调制激光器芯片在衬底之上划分出多个特定区域，在这些区域上依次设置第一调制器层、第一前光栅层直至第二调制器层，且第一、第二调制器层注入磷离子。关键的取样光栅通过电子束直写方式置于第一前光栅层、后光栅层与第二前光栅层内。在所有功能层上方，依次堆叠包层与电接触层，功能层之间通过刻蚀设置电隔离沟，最上层为P面电极，衬底下方设有N面电极。该芯片利用同一个后取样光栅反射区，通过量子阱