CN119852283A 半导体器件及其制造方法 （三星电子株式会社）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119852283A

(43)申请公布日2025.04.18

(21)申请号202411429448.5

(22)申请日2024.10.14

(30)优先权数据

63/544,3412023.10.16US18/618,4692024.03.27US

(71)申请人三星电子株式会社地址韩国京畿道

(72)发明人吴重锡崔宰铭徐康一

(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所11105

专利代理师马晓蒙

(51)Int.Cl.

H01L23/528(2006.01)

H01L23/532(2006.01)

H01L21/3213(2006.01)

H01L21/768(2006.01)

权利要求书3页说明书11页附图11页

(54)发明名称

半导体器件及其制造方法

(57)摘要

CN119852283A提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：晶体管结构；在晶体管结构上方的多条第一金属线；以及多个第一通路，分别形成在所述多条第一金属线当中的所选择的第一金属线上；形成在所述多个第一通路当中的第一有源通路上的第二通路；以及在第二通路上的第二金属线，其中第一金属线在第一方向上布置并且在与第一方向相交的第二方向上延伸，并且第二金属线在第一方向上延