CN119855132A 存储器件及其制作方法、电子设备 （北京超弦存储器研究院）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119855132A

(43)申请公布日2025.04.18

(21)申请号202311348289.1

(22)申请日2023.10.17

(71)申请人北京超弦存储器研究院

地址100176北京市大兴区北京经济技术

开发区科创十街18号院11号楼四层

401室

(72)发明人刘晓萌艾学正王祥升王桂磊赵超

(74)专利代理机构北京市立方律师事务所11330

专利代理师王海乔

(51)Int.Cl.

H10B12/00(2023.01)

权利要求书2页说明书11页附图8页

(54)发明名称

存储器件及其制作方法、电子设备

(57)摘要

CN119855132A本申请实施例提供了一种存储器件及其制作方法、电子设备。该存储器件的制作方法包括：提供一衬底，一侧凹槽的侧壁垂直于底壁；接着，依次交替形成第一绝缘层和牺牲层，牺牲层具有平行于底壁的第一牺牲部和平行于侧壁的第二牺牲部；接着，将位于存储区、连接区和阶梯区以外区域的所有牺牲层和所有第一绝缘层均去除；接着，形成第二绝缘层以填充凹槽的位于阶梯区朝向存储区一侧的部分；接着，去除剩余的所有牺牲层以形成多个空槽；接着，形成与多个空槽一一对应的多个导电层，使各导电层填充对应的空槽，各导电层均具有平行于底壁的阶梯部，多个阶