CN119856261A 基板处理装置、气体供给单元、半导体装置的制造方法以及程序 （株式会社国际电气）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119856261A

(43)申请公布日2025.04.18

(21)申请号202380064866.6

(22)申请日2023.03.24

(30)优先权数据

2022-1496282022.09.20JP

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2025.03.10

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/JP2023/0116832023.03.24

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2024/062663JA2024.03.28

(71)申请人株式会社国际电气

地址日本

(72)发明人冈岛优作山口天和竹林雄二八田启希

(74)专利代理机构北京银龙知识产权代理有限

公司11243

专利代理师金成哲郑毅

(51)Int.Cl.

H01L21/31(2006.01)

C23C16/455(2006.01)

权利要求书3页说明书10页附图11页

(54)发明名称

基板处理装置、气体供给单元、半导体装置

的制造方法以及程序

(57)摘要

CN119856261A本发明提供一种能够降低氧(O2)透过的风险的技术。提供如下技术，其具有：第一气体供给部，其供给第一气体；第一部件，其使来自所述第一气体供给部的所述第一气体流通；第二部件，其使来自所