CN119855161A 存储器器件及其形成方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119855161A

(43)申请公布日2025.04.18

(21)申请号202411970951.1

(22)申请日2024.12.30

(30)优先权数据

63/615,4532023.12.28US

18/625,4852024.04.03US

(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹

(72)发明人安隼立宋明远吴政宪鲍新宇

(74)专利代理机构北京德恒律治知识产权代理

有限公司11409

专利代理师章社杲李伟

(51)Int.Cl.

H10B61/00(2023.01)

H10N50/10(2023.01)

H10N50/80(2023.01)

H10N50/01(2023.01)

G11C11/16(2006.01)

权利要求书2页说明书17页附图14页

(54)发明名称

存储器器件及其形成方法

(57)摘要

CN119855161A一种存储器器件包括自旋轨道扭矩(“SOT”)导体、SOT导体上方的磁隧道结(“MTJ”)结构、MTJ结构上方的双端子读取选择器、MTJ结构下方的双端子写入选择器和SOT导体下方的位线。双端子读取选择器与MTJ结构中的钉扎层导电连接。双端子写入选择器与SOT导体的第