IECTS 62607-6-27-2025 纳米制造——关键控制特性——第6-27部分：石墨烯相关产品——二维材料层的场效应迁移率：场效应晶体管法 标准立项发展报告.docxVIP

纳米制造——关键控制特性——第6-27部分：石墨烯相关产品——二维材料层的场效应迁移率：场效应晶体管法标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:Nanomanufacturing-Keycontrolcharacteristics-Part6-27:Graphene-relatedproducts-Field-effectmobilityforlayersoftwo-dimensionalmaterials:field-effecttransistormethod

摘要

随着纳米制造技术的飞速发展，石墨烯及过渡金属硫化物等二维材料因其优异的电学、光学和机械性能，成为后摩尔时代电子器件的重要候选材料。场效应迁移率作为表征二维材料电学质量的核心参数，直接影响高频晶体管、光电探测器和柔性电子器件的性能评估与应用选型。然而，由于缺乏统一的测试方法和行业公认的测量规范，不同实验室所报告的迁移率数据差异显著，严重制约了二维材料的产业化进程和数据互认。在此背景下，国际电工委员会（IEC）于2025年12月16日正式发布技术规范IEC/TS62607-6-27-2025《纳米制造——关键控制特性——第6-27部分：石墨烯相关产品——二维材料层的场效应迁移率：场效应晶体管法》。本报告详细阐述该标准的立项背景、