CN119400755A 在有ic器件的硅片上制造纳米硅通孔的方法和封装结构 (北京大学).pdfVIP

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  • 2026-09-10 发布于重庆
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CN119400755A 在有ic器件的硅片上制造纳米硅通孔的方法和封装结构 (北京大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119400755A

(43)申请公布日2025.02.07

(21)申请号202411584525.4

(22)申请日2024.11.07

(71)申请人北京大学

地址100871北京市海淀区颐和园路5号

(72)发明人王玮

(74)专利代理机构北京润泽恒知识产权代理有

限公司11319

专利代理师陈宏

(51)Int.Cl.

H01L21/768(2006.01)

H01L23/48(2006.01)

权利要求书1页说明书8页附图6页

(54)发明名称

在有IC器件的硅片上制造纳米硅通孔的方

法和封

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