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二维InN及GaN范德华异质结光电性质的第一性原理研究.pdf

二维InN及GaN范德华异质结光电性质的第一性原理研究.pdf

    摘要

    自石墨烯被发现以来，研究者们开始广泛探索其他新型二维材料，具有代表性的二

    维材料有过渡金属硫化物、六方氮化硼和黑磷等。这类材料因其高载流子迁移率、可调

    谐带隙以及优异的光学性能等特性，在纳米电子器件、光电子器件和能源储存等领域具

    有广泛的应用潜力。可是单一的二维材料在实际应用中往往具有局限性，比如石墨烯的

    零带隙特性限制了其在光电子领域的发展，过渡金属硫化物相对较低的载流子迁移率限

    制了其应用。为了克服这些局限性，研究者们提出了构建范德华异质结的策略，即将不

    同的二维材料垂直堆叠在一起。这种异

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