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宽带射频功率晶体管F1070技术手册.pdfVIP

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  • 2026-09-10 发布于北京
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宽带射频功率晶体管F1070技术手册.pdf

    Polyfet射频器件

    F1070

    概述

    专为宽带射频应用设计的硅专利金金属化工艺

    VDMOS和LDMOS晶体管。适用硅栅增强模式

    于无线电、蜂窝与寻呼放大器射频功率VDMOS晶体管

    、广播FM/AM、核磁成

    200瓦双子星

    像、激光驱动器等场景。

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