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二维半导体AsSb和AsBi载流子输运性质的理论研究.pdf

二维半导体AsSb和AsBi载流子输运性质的理论研究.pdf

    摘要

    近年来，二维材料因其卓越的物理性质引起研究的热潮。与三维材料相比，二维材

    料有着众多优点，比如高比表面积、优异的机械性能以及独特的电学和光学特性。然而

    二维材料普遍偏低的载流子迁移率严重限制了它们的应用和发展。

    本论文的研究工作致力于寻找具有高载流子迁移率的二维半导体材料。以单层砷化

    锑（AsSb）和砷化铋（AsBi）两种半导体材料为研究对象，基于第一性原理框架下的玻

    尔兹曼输运理论系统的分析了这个半导体的载流子输运性质。首先通过晶格动力学，计

    算出AsSb和AsBi的晶格常数

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