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高性能沟道60V MOSFET特性与应用.pdfVIP

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  • 2026-09-10 发布于北京
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高性能沟道60V MOSFET特性与应用.pdf

    2013年3月

    FDB024N06

    N沟道

    PowerTrench®

    MOSFET

    60

    V，265

    A，2.4

    毫欧

    特性描述

    =1

    •导通电阻

    .8

    毫欧（典型值）@

    VGS

    =10V，ID

    =75A该N沟道MOSFET采用飞兆®先进的PowerTrench®工艺制

    •快速开关速度造，该工艺经过优化以在保持卓越开关性能的同时最度地降

    低导通电阻。

    •低栅极电荷

    •高性能沟槽技术，实现极低的RDS(on)

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