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面向算力互联的锗硅雪崩光电二极管：在25G/50Gbaud及以上速率的高灵敏度接收趋势

摘要

本报告聚焦锗硅雪崩光电二极管（SiGeAPD）在算力互联场景下的高灵敏度接收技术演进，研究覆盖25Gbaud、50Gbaud及未来更高波特率，预测周期为2025—2033年。核心判断是：伴随数据中心互联与50G-PON规模化部署，SiGeAPD凭借高增益、低过剩噪声、与硅光工艺兼容的独特优势，将逐步取代传统InPAPD，成为25Gbaud以上速率高灵敏度接收的主流方案。关键预测数据包括：2027年全球SiGeAPD芯片市场规模将突破3.2亿美元，50GbaudAPD在-30dBm灵敏度下的接收距离延长能力将支持40km以上单波传输；至2030年，100GbaudPAM4接收场景中SiGeAPD渗透率有望达到35%。报告从宏观环境、产业现状、核心趋势、场景推演、战略影响依次展开，最终为器件厂商、光模块设计方及系统集成商提供可操作的前瞻建议。

第一章报告概述

1.1研究背景与目标

全球算力需求正以年均超50%的增速攀升，驱动数据中心内部及互联链路向每通道100Gbps乃至200Gbps演进。在无源光网络（PON）领域，ITU-T50G-PON标准已基本完成，标志着接入网迈入50G时代。这一背景对光接收端提出严苛要求：必须在保持甚至提升接收灵敏度的前提下，将