摘要
二维材料因其独特的电子结构、机械柔性及新奇的物理特性,在新型电子与光电子
器件领域展现出巨大潜力。六方砷化硼(h-BAs)作为一种III-V族半导体材料,具有优异
的晶格热导率和较高的载流子迁移率,在电子器件领域中显示极大潜力。在此,我们以
六方砷化硼(h-BAs)为研究对象,系统地研究了h-BAs/ZnO和h-BAs/BlueP范德瓦尔斯
异质结的光电性能和热电效应。我们得到了一些研究结果,基于此深入探讨了异质结在
光电领域中的应用价值,主要研究内容如下:
(1)双轴应
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