原创力文档摘要
在先进节点晶体管不断发展的进程中，栅极尺度急剧缩小，源漏区域接触面积持续
缩减，这使得接触电阻逐渐成为外电阻的主要组成部分，进而成为提升先进晶体管性能
的关键瓶颈。降低接触电阻可通过降低金属半导体接触的肖特基势垒高度以及增加半导
体界面处的掺杂浓度两种途径来实现。然而，费米能级钉扎效应的存在使得金属功函数
不再严格遵守Schottky-Mott关系，对肖特基势垒高度调控效果有限。本文旨在研究Si、
Ge与金属的接触特性，概述费米能级钉扎效应的起源，缓解费米能级钉扎的方法以及
效果，以期为
摘要
在先进节点晶体管不断发展的进程中，栅极尺度急剧缩小，源漏区域接触面积持续
缩减，这使得接触电阻逐渐成为外电阻的主要组成部分，进而成为提升先进晶体管性能
的关键瓶颈。降低接触电阻可通过降低金属半导体接触的肖特基势垒高度以及增加半导
体界面处的掺杂浓度两种途径来实现。然而，费米能级钉扎效应的存在使得金属功函数
不再严格遵守Schottky-Mott关系，对肖特基势垒高度调控效果有限。本文旨在研究Si、
Ge与金属的接触特性，概述费米能级钉扎效应的起源，缓解费米能级钉扎的方法以及
效果，以期为
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