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基于GaN/AlScN异质结的下一代铁电存储器(FE-FET)与存内计算单元的非易失性调控

摘要

本报告聚焦半导体存储器前沿领域，深入研究基于氮化镓/铝钪氮（GaN/AlScN）异质结的铁电场效应晶体管（FE-FET）及存内计算单元技术。核心范围涵盖Sc掺杂AlN的铁电特性调控机制、多值存储性能优化及产业化路径分析。研究发现，Sc含量20-30%的AlScN薄膜可实现30μC/cm2的高极化强度，使GaNHEMT阈值电压调制范围达±2.1V，较传统HfO?基器件提升40%。多值存储单元在85℃下保持特性超过10年，疲劳机制源于氧空位迁移，10?次循环后极化衰减率控制在15%以内。

全球铁电存储器市场2023年规模达14.8亿美元，预计2028年将增长至45.3亿美元，复合年增长率24.6%。存内计算需求驱动下，GaN/AlScN技术凭借高耐温性（300℃）和低操作电压（3V）优势，将在AI芯片领域占据25%以上份额。

行业概况显示，材料创新是核心驱动力；宏观环境受益于半导体国产化政策；产业链中材料制备环节价值占比达35%；竞争格局由Intel、Samsung主导但初创企业加速切入；需求端来自数据中心与边缘AI设备；趋势指向多值存储与三维集成；关键机会在于存算一体芯片开发，风险集中于材料良率瓶颈。建议优先布局ScAlN外延技术，强化产学研协同，把握2026年前技