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LED芯片外延生长作业规程

1.总则

1.1目的

为规范LED芯片生产过程中核心环节——外延生长的作业流程，确保金属有机源化学气相沉积（MOCVD）设备运行的稳定性，提高外延片的晶体质量、光电性能一致性及良率，特制定本作业规程。本规程旨在通过对工艺参数、操作步骤、环境控制及安全防护的严格界定，实现标准化作业，降低人为因素导致的生产异常。

1.2适用范围

本规程适用于公司内所有使用MOCVD设备进行氮化镓基LED外延片生长的生产作业，包括但不限于设备操作员、工艺工程师、设备维护人员及相关质量管理人员。

1.3基本原则

作业过程必须遵循“安全第一、质量为本、预防为主”的原则。所有操作需严格按照设备制造商提供的最新技术手册及本工艺规范执行，严禁违规操作或擅自修改未经验证的工艺参数。

2.作业环境与人员要求

2.1洁净度要求

外延生长作业必须在Class100（ISO5）或更高标准的洁净环境下进行。作业区域需严格控制微尘粒子数，定期监测洁净室压差，保持相对于低洁净区正压差≥10Pa，以防止外部污染物污染反应腔体及衬底表面。

2.2温湿度控制

作业区域温度应控制在22℃±2℃，相对湿度控制在40%-60%RH。温湿度的剧烈波动会影响MOCVD设备的冷却效率及气体流量计的精度，进而影响外延层的厚度和组分均匀性。

2.3人员资质与防护

2.3.1操作人员必须经过MOCVD设备专