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8英寸晶圆湿法清洗工序作业指导书

1.目的与适用范围

本作业指导书旨在规范半导体制造中8英寸晶圆湿法清洗工序的操作流程、工艺参数、质量控制标准及安全防护措施。通过标准化的作业程序，有效去除晶圆表面的颗粒、有机沾污、金属离子沾污及自然氧化层，确保晶圆表面的洁净度满足后续光刻、扩散、薄膜沉积等关键工艺的要求，从而提升芯片的最终良率和可靠性。

本文件适用于半导体制造厂湿法工艺区所有涉及8英寸晶圆清洗的作业人员、工艺工程师及设备维护人员。具体涵盖的工艺场景包括但不限于：扩散前的清洗、光刻胶剥离后的清洗、金属沉积前的预处理以及氧化层生长前的预清洗等。

2.引用标准

为确保作业的规范性与安全性，本指导书依据或参考以下行业标准及内部规范制定：

SEMIF21-1102：半导体制造设备安全指南——化学危险品分类。

SEMIF57-0300：酸碱废气排放标准。

ISO14644-1：洁净室及相关受控环境国际标准。

内部物料管理规范：关于高纯度化学品的接收、存储及使用标准。

ESDS20.20：静电放电控制方案。

3.术语与定义

RCA清洗：由美国无线电公司（RCA）提出的一种标准湿法清洗工艺，主要包括SPM、SC-1、SC-2等清洗步骤。

SPM（SulfuricPeroxideMixture）：由浓硫酸（H2SO4）与双氧水（H2O2）组成的混合液，主要用于去除晶圆表面的有机沾污和光刻