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磷化铟单晶可应用于数据中心领域 我国具备原材料优势.pdf

磷化铟单晶可应用于数据中心领域 我国具备原材料优势.pdf

    磷化铟单晶可应用于数据中心领域我国具备原

    材料优势

    磷化铟单晶，化学式为InP，指由ⅢA族元素铟（In）和ⅤA族元素磷（P）

    化合而成的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料。磷化铟单晶具备抗辐射能力强、电学性

    能优异、光电转换效率高、导热性好、晶格匹配性良好等特点，在数据中心、光

    通信以及激光雷达等领域有所应用。

    磷化铟单晶生长方法包括垂直布里奇曼法（VB法）、液封直拉法（LEC

    法）、气相传输法（PVT法）以及垂直梯度凝固法（VGF法）等。垂直布里奇

    曼法具备

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