《纳米片高度和宽度对环栅器件微尺度的影响仿真研究》11000字.docx

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纳米片高度和宽度对环栅器件微尺度的影响仿真研究

摘要

随着社会经济的发展和科学的进步，半导体工艺制程在进入32nm以下的节点后，每一步都历尽艰辛，传统的工艺技术已经无法满足7nm以下的制程了。好在鳍式场效应晶体管器件之后，又带来了全新的环栅器件工艺；而5nm之后的时代，全新环栅技术有望延续现有半导体技术路线的寿命。所以本次课题是对纳米片环栅器件进行TCAD仿真分析，通过改变工艺参数来研究对纳米片环栅器件的影响。

本次课题研究是利用SentaurusTCAD，SentaurusVisual，SentaurusDevice等模块构建纳米片环栅器件模型，研