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2025-2026年江苏省北师大版高二物理第5章半导体物理练习题.docx

2025-2026年江苏省北师大版高二物理第5章半导体物理练习题.docx

    2025-2026年江苏省北师大版高二物理第5章半导体物理练习题

    一、单项选择题（本大题共10小题，每小题2分，共20分）

    1.在半导体物理中，当温度升高时，下列哪个物理量会显著增加？

    A.本征载流子浓度

    B.杂质电离能

    C.晶格振动频率

    D.晶体缺陷密度

    【解析】温度升高时，半导体中热激发作用增强，使得价带电子跃迁到导带形成自由电子和空穴，导致本征载流子浓度显著增加。杂质电离能是固定的，晶格振动频率主要受晶格结构影响，晶体缺陷密度在温度变化时基本不变。因此正确选项为A。

    2.P型半导体中，多数载流子是空穴，当掺入三价杂质（如硼）后，

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