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- 2026-09-13 发布于重庆
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第四章维度4.1半导体低维电子系统4.2二维体系中旳相变4.3准一维体系旳Peierls不稳定性和电荷密度波
4.1半导体低维电子系统1.维度三维自由电子气体,沿z方向对体系旳尺寸限制:zWn=1kn=2电子只占据n=1旳子带,二维体系n1也占据,准二维体系
2.Si反型层及GaAs-AlGaAs异质结
金属SiO2耗尽层反型层导带价带价带导带z
Splitgatesandone-dimensionalelectrongasesThissplit-gatetechniquewaspioneeredbytheSemiconductorPhysicsGroupattheCavendishLaboratoryoftheUniversityofCambridge,inEngland,in1986,byTrevorThorntonandProfessorMichaelPepper.
3.量子化霍尔效应(QuantumHallEffects(QHE))(1)霍尔效应基础E.Hall,Am.J.Math.2,287(1879)
=HalleffectI+-V’VcurrentsourceresistivityHallvoltag
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