CN119653829A 一种准超结沟槽栅碳化硅vdmos及其制备方法 （泰科天润半导体科技（北京）有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119653829A

(43)申请公布日2025.03.18

(21)申请号202411563074.6

(22)申请日2024.11.05

(71)申请人泰科天润半导体科技（北京）有限公

司

地址101300北京市顺义区中关村科技园

区顺义园临空二路1号

(72)发明人施广彦张长沙张瑜洁李昀佶

(74)专利代理机构福州市京华专利代理事务所

(普通合伙)35212

专利代理师刘晓明

(51)Int.Cl.

H10D30/66(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

H10D62/10(2025.01)