2026年半导体物理专业基础真题试卷.pdfVIP

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  • 2026-09-13 发布于四川
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2026年半导体物理专业基础试卷真题

考试时间:______分钟总分:______分姓名:______

数描述了在绝对零度下物质系统如电子气中单粒子能级上的占有概率对于能量为E的能级其占有概率为fEexpEEsubFsubksubBsubT其中EsubFsub是费米能级ksubBsub是玻尔兹曼常量T是绝对温度该函数表明在费米能级EsubFs

一、选择题(每题2分,共20分。请将正确选项的字母填在题后的括号内)

1.晶体硅的禁带宽度约为1.12eV,这是由于()。

A.内禀缺陷导致能带展宽

B.周期性势场对电子能级的影响

C.核心电子的束缚能远大于电子间库仑相互作用

D.硅原子最外层只有3个价电子

2.在N型半导体中,占主导地位的载流子是()。

A.空穴

体中主要的施主杂质是它在价带中形成的能级称为能带理论是在理论和理论基础上发展起来的半导体中电子从价带激发到导带所需克服的能量势垒称为PN结处形成的耗尽层在无外加电场时其内主要是区和区的空间电荷区电场方向由区指向区当PN结加正向

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