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ProfessionalTechnicalAnalysisLED器件常用光电参数及检测原理技术电学特性·光学参数·热学性能·检测方法全解析

Contents目录LED器件常用光电参数及检测原理技术01LED电学特性分析02LED光学参数详解03LED热学性能与可靠性04光电参数检测原理与方法

CHAPTER01LED电学特性分析从pn结物理本质理解LED的I-V特性、C-V特性与功耗机制

I-VCharacteristicsLED的I-V特性曲线总览LED的I-V特性具有非线性和整流性质，完整曲线可划分为正向死区、正向工作区、反向死区和反向击穿区四个阶段。正向死区外加电压低于开启电压Va时，电场不足以克服载流子扩散形成的势垒，电阻极大，电流几乎为零VVa正向工作区电压超过Va后，正向电流IF随电压VF呈指数上升，器件进入正常发光状态IF=IS·eqV/KT反向死区施加反偏压时仅有微弱反向漏电流，GaP约0μA，GaN约10μA（V=-5V时）10μA反向击穿区反偏压持续增大至超过击穿阈值，反向电流急剧增加，不同材料击穿电压各异V-VR

SEMICONDUCTORPHYSICS不同材料的开启电压与正向工作特性LED开启电压由半导体材料禁带宽度决定，不同化合物材料的开启电压从1V到2.5V不等。正向工作区内电流呈指数增长，对恒流驱动设计提出了严格要求