IC工艺技术9双极型集成电路工艺技术.pptxVIP

双极型集成电路工艺技术IC工艺技术系列课程·第九讲

Contents课程目录双极型集成电路工艺技术全流程解析01双极型IC基础概述与工艺总览02核心基础工艺流程03器件区形成工艺04后道工艺与金属互连05BiCMOS技术与先进工艺展望

CHAPTER01双极型IC基础概述与工艺总览从器件结构到工艺全流程的宏观认知框架

BipolarICFundamentals双极型集成电路基本概念双极型集成电路以BJT为基本有源器件，利用电子和空穴双载流子工作，在高频、模拟精度和驱动能力方面具有不可替代的优势，是现代半导体产业中模拟与射频电路的核心技术平台。核心器件以BJT为核心，电子与空穴同时导电，跨导远高于MOS器件BJT高频性能特征频率fT达数十GHz，广泛用于射频前端与微波通信GHz模拟精度器件匹配性好、噪声低，运放与高精度ADC/DAC首选ADC功耗局限功耗高于CMOS，集成密度受器件结构限制CMOS双极型晶体管芯片实拍

BipolarICStructure双极型IC典型器件结构双极型IC以npn晶体管为主力器件，采用多层掺杂结构，器件间通过pn结反偏或深槽介质实现电学隔离，整体结构复杂度高于MOS器件。01纵向三层结构p型衬底上生长n型外延层为集电区，p型基区通过硼扩散形成，n型发射区通过磷或砷扩散形成02集电极串联电阻通过n?埋层和深掺杂接触区将集电极引出至芯片表面，显