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CdO/ZnO核壳结构的生长机制、性能调控及应用前景

一、引言

1.1研究背景与意义

半导体纳米材料由于其独特的量子尺寸效应、表面效应和宏观量子隧道效应等，展现出与体相材料截然不同的物理和化学性质，在过去几十年间一直是材料科学领域的研究热点。这些特殊性质使得半导体纳米材料在光电器件、催化、传感、能源存储与转换等众多领域具有广阔的应用前景。例如，在光电器件方面，纳米结构的半导体材料可用于制造高性能的发光二极管（LED）、光电探测器和激光器等，能够显著提高器件的性能和降低能耗。在催化领域，半导体纳米材料因其高比表面积和特殊的电子结构，可作为高效的光催化剂或电催化剂，用于分解水制氢、二氧化碳还原以及有机污染物的降解等反应，为解决能源危机和环境污染问题提供了新的途径。

氧化锌（ZnO）作为一种重要的宽禁带半导体材料，室温下禁带宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV，具有良好的光学、电学和压电性能。ZnO纳米材料在紫外光发射、传感器、太阳能电池和光催化等领域展现出巨大的应用潜力。例如，在紫外光探测器中，ZnO纳米线或纳米薄膜能够对紫外光产生快速且灵敏的响应；在太阳能电池中，ZnO可作为电子传输层，提高电池的光电转换效率；在光催化领域，ZnO能够利用紫外光降解有机污染物，净化环境。然而，ZnO也存在一些局限性，如光生载流子复合率较高，导致其在实际应用中的性能受到一