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第三代半导体外延生长规程

1.总则

本规程旨在规范第三代半导体材料（主要包括碳化硅SiC、氮化镓GaN、氮化铝AlN及相关多元合金）的外延生长作业流程，确保外延片的晶体质量、厚度均匀性、掺杂浓度及表面形貌符合高功率电子器件及射频器件的制造标准。本规程适用于半导体制造工厂内从事外延生长工艺的工程技术人员、设备维护人员及质量检验人员。

外延生长作为器件制造的核心环节，其质量直接决定了后续器件的击穿电压、导通电阻及电子迁移率等关键性能指标。因此，所有操作必须严格遵守本工艺卡规定的参数范围，严禁擅自更改工艺配方。所有涉及化学危险品（如氢气、硅烷、氨气、金属有机源等）的操作，必须同步遵守EHS（环境、健