2026年考研微电子学微电子器件模拟试卷.docxVIP

2026年考研微电子学微电子器件模拟试卷

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分。在每小题列出的四个选项中，只有一项是最符合题目要求的。请将正确选项前的字母填在题后的括号内。）

1.本征硅在室温下导电性最差，这主要是因为其()

A.晶格缺陷过多

B.热激发产生的电子-空穴对很少

C.硅原子最外层电子数为4，既不失去也不容易获得电子

D.化学性质过于稳定

2.P型半导体中，主要载流子是()

A.电子

B.空穴

C.自由电子和空穴

D.正离子

3.当PN结加正向电压时，其空间电荷区()

A.变宽

B.变窄

C.不变

D.先变宽后变窄

4.二极管正向伏安特性曲线越陡峭，表示其()

A.正向压降越大

B.正向电流越大

C.压敏电阻效应越明显

D.直流电阻越小

5.在温度升高时，二极管的正向压降通常()

A.增大

B.减小

C.不变

D.先增大后减小

6.稳压二极管工作在反向击穿区时，其()

A.击穿电压随电流增大而增大

B.击穿电压基本恒定

C.