高性能纳米点掺杂a-IGZO薄膜晶体管研究.pdfVIP

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4.3:

高性能纳米点掺杂a‑IGZO薄膜晶体管｜

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*1，1，1，1，2｜end▁of▁sentence｜

1

国立交通大学光电工程学系与光电工程，2

物理，省新竹市大学路1001号，300，中

华｜end▁of▁sentence｜

｜end▁of▁sentence｜

一种具有高输出驱动电流的高迁移率（~79cm2/Vs）非晶In‑Ga‑Zn‑O（a‑IGZO）薄膜

晶体管（TFT）已被展示。我们采用了一种新结构，在器件的沟道上进行纳米点

掺杂。该器件旨在将场效应迁移率提高至对照样品的17倍。研究了点浓度和掺杂浓度对

器件特性的影响。此外，我们还研究了采用NDD的底栅器件。我们成功展示了一种有效

且简单的概念来改善器件特性。｜end▁of▁sentence｜

1.

引言｜end▁of▁sentence｜

具有高迁移率（10cm2/Vs）和低温工艺下的低阈值电压（5V），非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体