1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 办公文档
  5. 产品手册

100V N沟道功率MOSFET技术手册.pdfVIP

  • 1
  • 0
  • 约14.12万字
  • 约 18页
  • 2026-09-16 发布于北京
  • 举报

100V N沟道功率MOSFET技术手册.pdf

    2013年3月

    FDB035N10A

    N沟道PowerTrench®

    MOSFET

    100伏，214安，3.5毫Ω

    特性产品描述

    =3

    •导通电阻

    .0毫Ω(典型值)@

    VGS

    =10伏，ID

    =75安这款N沟道MOSFET采用飞兆®先进的PowerTrench®工艺

    •快速开关速度制造，该工艺经过专门优化，可在保持卓越开关性能的同时最

    度降低导通电阻。

    •低栅极电荷，QG

    =89nC（典型值）

    •高性能沟槽技术实现极低RDS(on)

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >