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替位掺杂二碲化钼的整流效应与栅控输运特性研究.pdf

替位掺杂二碲化钼的整流效应与栅控输运特性研究.pdf

    摘要

    随着信息技术的迭代升级，整流器件作为现代电子系统的关键功能元件，其性能优

    化与结构创新已成为器件研究的核心议题。硅基整流器件在亚10nm工艺节点遭遇显著

    的物理瓶颈。如量子隧穿效应引发的反向漏电流非线性增长、高频工况下的动态损耗加

    剧、整流比(RectificationRatio,RR)的显著退化、开启电压的敏感性。这些问题严重阻碍

    了器件特征尺寸的进一步缩减与功率转换效率的优化。在此背景下，开发兼具原子级界

    面调控能力与优异载流子输运特性的新型半导体异质结材料，正成为突破传统硅基整

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