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2026年核心专利池在光刻技术领域的竞争格局与许可模式创新

摘要

本报告聚焦2026年全球半导体光刻技术领域核心专利池的竞争格局与许可模式创新。分析对象涵盖ASML、尼康、佳能等设备巨头，以及台积电、三星、英特尔等关键用户，和RPX、AST等专利运营实体。核心发现表明，光刻技术专利池正从传统的单一专利权人许可，向多方参与的交叉授权联盟演进。

报告首先扫描宏观政策与技术环境，指出EUV光源、高数值孔径物镜系统及先进光刻胶配方是专利争夺的三大高地。其次，研判当前市场格局，呈现“一超多强”的集中态势，ASML凭借EUV独家供应占据绝对主导，但其专利壁垒也面临反垄断审查与关键零部件专利持有者的挑战。第三章深入剖析主要竞争者，揭示其专利布局战略从防御性囤积转向进攻性交叉许可。第四章拆解竞争策略，重点分析专利许可模式从按台收费、按晶圆收费向“专利池打包订阅+按使用量计费”的混合模式创新。第五章对比各方优劣势，量化评估其专利组合的广度、深度与技术不可替代性。最后，报告预判2027年随着关键EUV专利陆续到期及中企专利积累，中小企业创新壁垒将结构性降低，全球技术扩散路径将从线性垄断转向网状授权，并据此提出构建防御性专利联盟与主动参与标准制定的策略建议。

第一章报告概述

1.1分析背景与目标

全球半导体产业已进入极紫外（EUV）与高数值孔径（High-NA）光刻技术主导的先进制