GBT 47239.9-2026 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第9部分：一晶体管一电阻式（1T1R）电阻存储单元性能测试方法 标准立项发展报告.docxVIP

半导体器件柔性可拉伸半导体器件第9部分：一晶体管一电阻式（1T1R）电阻存储单元性能测试方法标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:Semiconductordevices—Flexibleandstretchablesemiconductordevices—Part9:Performancetestingmethodsofonetransistorandoneresistor(1T1R)resistivememorycells

摘要

随着柔性电子、可穿戴设备、电子皮肤、植入式医疗、柔性显示及存算一体技术的快速发展，柔性可拉伸半导体存储器件已成为半导体与新材料交叉领域的前沿方向。一晶体管一电阻式（1T1R）电阻存储单元将选通晶体管与阻变存储电阻串联，具有低串扰、易三维集成、非易失存储和便于阵列扩展等优势，是柔性阻变存储器的重要单元结构。然而，柔性衬底与可拉伸结构使器件电学性能易受弯折、拉伸、温湿度和机械疲劳影响，行业内长期缺乏统一的性能测试方法，导致研发数据可比性不足、产品认证依据不足、产业链协同困难。GB/T47239.9-2026《半导体器件柔性可拉伸半导体器件第9部分：一晶体管一电阻式(1T1R)电阻存储单元性能测试方法》针对上述问题，系统规定1T1R电阻存储单元性能测试的术语