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2026年半导体工艺技师考试题及答案

一、填空题（每题2分，共20分）

1.在半导体制造过程中，光刻技术主要用于_________。

2.硅的晶体结构为_________。

3.离子注入工艺中，常用的离子有_________。

4.半导体器件的栅极材料通常为_________。

5.氧化层在半导体器件中的作用是_________。

6.腚蚀工艺中，常用的化学物质有_________。

7.半导体器件的漏电流主要由_________引起。

8.晶圆的清洗工艺中，常用的清洗剂有_________。

9.半导体器件的制造过程中，高温退火的主要作用是_________。

10.半导体工艺中，常用的掩模版材料为_________。

二、判断题（每题2分，共20分）

1.光刻技术是半导体制造中最重要的工艺之一。（对）

2.硅的晶体结构为面心立方结构。（错）

3.离子注入工艺中，常用的离子有砷（As）。（对）

4.半导体器件的栅极材料通常为金属。（对）

5.氧化层在半导体器件中的作用是隔离。（对）

6.腚蚀工艺中，常用的化学物质有氢氟酸（HF）。（对）

7.半导体器件的漏电流主要由载流子漂移引起。（对）

8.晶圆的清洗工艺中，常用的清洗剂有超纯水。（对）

9.半导体器件的制造过程中，高温退火的主要作用是激活杂质。（对）

10.半导体工艺中，常用的掩模版