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2026年半导体检测试题及答案

一、填空题（每题2分，共20分）

1.半导体材料的禁带宽度通常在______之间，直接影响其导电性能。

2.硅原子最外层有______个电子，属于第______族元素。

3.N型半导体的多数载流子是______，少数载流子是______。

4.PN结加反向电压时，耗尽层______，反向电流______。

5.双极结型晶体管（BJT）的三个电极分别是______、______和______。

6.MOSFET的栅极与沟道之间由______层绝缘，实现电场控制导电。

7.MOSFET的输出特性曲线可以分为______、______和______三个区域。

8.CMOS电路中，PMOS和NMOS互补工作，可以降低______功耗。

9.光电二极管的工作原理是基于______效应，用于检测______。

10.半导体器件的击穿电压与______和______有关。

二、判断题（每题2分，共20分）

1.本征半导体的导电性能不受温度影响。（×）

2.PN结正向偏置时，耗尽层变窄。（√）

3.BJT的发射结和集电结通常都加正向电压。（×）

4.MOSFET的阈值电压是开启漏极电流的临界电压。（√）

5.CMOS电路中，静态功耗几乎为零。（√）

6.光电二极管