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2026年半导体物理考试卷及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.半导体中的载流子是指（）

A.电子B.空穴C.电子和空穴D.离子

2.本征半导体中，电子浓度和空穴浓度（）

A.相等B.不相等C.电子浓度大于空穴浓度D.空穴浓度大于电子浓度

3.杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）

A.温度B.杂质浓度C.晶体结构D.以上都不是

4.PN结的形成过程中，（）

A.电子扩散运动起主导作用B.空穴扩散运动起主导作用C.电子漂移运动起主导作用D.空穴漂移运动起主导作用

5.PN结的正向偏置是指（）

A.P区接电源正极，N区接电源负极B.P区接电源负极，N区接电源正极C.P区和N区都接电源正极D.P区和N区都接电源负极

6.半导体中载流子的迁移率与（）有关。

A.温度B.杂质浓度C.晶体结构D.以上都有

7.半导体中的复合中心是指（）

A.促进载流子复合的杂质或缺陷B.阻止载流子复合的杂质或缺陷C.与载流子复合无关的杂质或缺陷D.以上都不是

8.半导体中的陷阱中心是指（）

A.容易俘获载流子的杂质或缺陷B.不容易俘获载流子的杂质或缺陷C.与载流子俘获无关的杂质或缺陷