半导体工艺工程师面试问题及答案.docx

半导体工艺工程师面试问题及答案

请解释PN结的内建电势计算公式及影响其大小的核心因素，结合14nm逻辑工艺的阱掺杂参数给出典型计算值。答案：PN结内建电势的通用计算公式为Vbi=(kT/q)ln(NaNd/ni2)，其中k为玻尔兹曼常数1.38e-23J/K，T为热力学温度，q为电子电荷量1.602e-19C，室温300K下kT/q的近似取值为0.0259V，Na为P型区受主掺杂浓度，Nd为N型区施主掺杂浓度，ni为本征载流子浓度，室温下本征硅的ni标准值为1.5e10cm-3。14nmFinFET工艺的P阱典型掺杂浓度Na为1e17cm-3，N阱典型掺杂浓度Nd为5e17cm