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2026年中芯国际校招面试题及答案

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单项选择题（每题2分，共10题）

1.半导体制造中光刻的主要目的是()

A.去除杂质

B.图形转移

C.提高导电性

D.降低电阻

2.以下哪种气体常用于刻蚀工艺()

A.氧气

B.氮气

C.氯气

D.氢气

3.晶圆制备过程中，拉晶的主要方法是()

A.化学气相沉积

B.物理气相沉积

C.直拉法

D.溅射法

4.芯片封装的主要作用不包括()

A.保护芯片

B.电气连接

C.散热

D.增加芯片速度

5.中芯国际的技术节点目前已达到()

A.28nm

B.14nm

C.7nm

D.5nm

6.半导体材料中最常用的是()

A.硅

B.锗

C.砷化镓

D.氮化镓

7.光刻工艺中使用的光刻胶是()

A.绝缘材料

B.导电材料

C.感光材料

D.磁性材料

8.衡量芯片性能的指标不包括()

A.主频

B.功耗

C.颜色

D.制程工艺

9.以下哪种工艺用于在晶圆表面形成金属互连()

A.氧化

B.光刻

C.刻蚀

D.电镀

10.中芯国际的总部位于()

A.上