GBT 4937.28-2026 半导体器件 机械和气候试验方法 第28部分:静电放电(ESD)敏感度测试 带电器件模型(CDM) 器件级 标准立项发展报告.docxVIP

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  • 2026-09-20 发布于北京
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GBT 4937.28-2026 半导体器件 机械和气候试验方法 第28部分:静电放电(ESD)敏感度测试 带电器件模型(CDM) 器件级 标准立项发展报告.docx

半导体器件机械和气候试验方法第28部分:静电放电(ESD)敏感度测试带电器件模型(CDM)器件级标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:Semiconductordevices—Mechanicalandclimatetestmethods—Part28:Electrostaticdischarge(ESD)sensitivitytesting—Chargeddevicemodel(CDM)—devicelevel

摘要:随着半导体工艺进入纳米节点,栅氧化层减薄、互连密度提高、先进封装和Chiplet技术普及,带电器件模型(CDM)静电放电已成为导致器件失效和现场返修的重要可靠性问题。为规范器件级CDMESD敏感度测试,GB/T4937.28-2026《半导体器件机械和气候试验方法第28部分:静电放电(ESD)敏感度测试带电器件模型(CDM)器件级》应运而生。该标准当前状态为未实施,拟于2026年9月1日实施。标准规定了器件级CDM试验的术语、设备、校准、波形验证、试验程序、失效判据和报告要求,适用于半导体器件ESD敏感度分级与评价。其技术内容与IEC60749-28等国际标准相协调,强调峰值电流、上升时间、放电波形等关键参数的可追溯性。重要结论:该标准将统一国内CDM测试方法,

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