《GBT 43894.3-2026半导体晶片近边缘几何形态评价 第3部分：扇形区域平整度法（ESF.pptxVIP

《GB/T43894.3-2026半导体晶片近边缘几何形态评价第3部分：扇形区域平整度法（ESFQR、ESFQD、ESBIR）》解读

目录

02

评价方法原理

01

标准概述

03

关键术语解读

04

测量流程与步骤

05

应用场景与实践

06

总结与展望

标准概述

01

制定背景与目的

技术演进需求

随着集成电路制造工艺向更小节点发展，晶片近边缘区域的几何形态对芯片良率影响显著，需建立统一评价方法以提升制造精度。

该标准是我国首次针对半导体晶片近边缘扇形区域平整度的系统性规范，弥补了国内在该领域的技术标准缺失。

参考SEMI等国际标准框架，结合中国产业实际，制定符合全球化竞争需求的本土化技术规范。

填补国内空白

国际接轨要求

适用范围与对象

明确规范距晶片边缘3mm范围内的扇形区域（通常划分为32个45°扇形）为评价对象。

标准适用于直径200mm及以上的硅抛光片、外延片等半导体晶片，涵盖逻辑、存储等主流芯片制造场景。

面向晶圆制造厂、材料供应商、设备厂商及第三方检测机构，提供全链条技术依据。

适用于FinFET、GAA等先进制程的晶片几何形态管控，兼容在线检测与离线抽检场景。

适用晶片类型

检测区域界定

产业链覆盖范围

工艺适配性

主要特点与创新

多参数体系

首次整合ESFQR（边缘扇形区域平整度）、ESFQD（平整度偏差）、ESBIR（边缘弯曲度）三项核心参数，形成立体评