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集成电路设计专业考研复试真题（含详细手写版答案）

使用说明

1.适配：本套试题适配专硕085403集成电路工程、学硕080900电子科学与技术（IC设计方向）复试，取自江浙、西南、华北多所高校近4年线下复试笔试+口述原题改编

3.题型划分：必答基础题、拔高专业课、代码实操题、综合面试情商题，完全贴合高校复试分值配比

4.避坑标注：每道题附【复试扣分点】，为往年考生高频失分点

第一部分半导体物理必考复试真题（25分）

一、简答题（共5题）

1.简述本征半导体、杂质半导体导电区别，N型/P型半导体多数载流子来源？

参考答案：

1）本征半导体：纯净无杂质硅/锗晶体，常温下依靠热激发产生成对电子-空穴导电，电子、空穴浓度相等，导电能力极弱，受温度影响极大。

2）杂质半导体：人为掺入微量杂质改性，导电能力可控，受温度影响小，分为两类：

N型半导体：掺入Ⅴ族施主杂质（磷P、砷As），杂质多余价电子脱离束缚成为自由电子，多子为电子，少子为空穴；

P型半导体：掺入Ⅲ族受主杂质（硼B），杂质捕获价电子产生空穴，多子为空穴，少子为电子。

复试扣分点：很多考生说错施主受主族数、混淆多子少子；不要说“掺杂改变能带”，复试简答不用拔高能带理论。

2.什么是PN结雪崩击穿、齐纳击穿？二者适用场景区别？

参考答案：

二者都是PN结反向电压过大导致的不可逆击穿（电压回落可恢复，不属于烧毁），机理不同