T/IAWBS 011-2019导电碳化硅单晶片电阻率测量方法 非接触涡流法.pdf

标准名称：T/IAWBS011-2019导电碳化硅单晶片电阻率测量方法非接触涡流法

标准主要内容如下：

本标准规定了导电碳化硅单晶片电阻率测量方法非接触涡流法的术语和定义、仪器设备、测量原理、测量步骤、测量结果的处理和不确定度评估等。

具体内容如下：

1.术语和定义：明确提出非接触涡流法用于测量导电碳化硅单晶片的电阻率。

2.仪器设备：需要使用非接触涡流测量仪，包括主机、探头、控制软件等。同时，还需要准备一些必要的附件，如夹具、绝缘垫等。

3.测量原理：介绍非接触涡流法的原理，即利用高频电磁场在导电材料表面产生涡流，通过测量涡流的强度和相位，进而推算出材料的电阻率。

4.测量步骤：

a.选择样品：选择合适的导电碳化硅单晶片样品，保证其平整、干净，没有明显的凸起或凹陷。

b.安装样品：将样品固定在探头夹具上，保证样品与探头之间的距离适中。

c.校准仪器：使用已知电阻率的样品进行校准，确保仪器的准确度。

d.开始测量：启动仪器，设置好参数，开始测量。

e.数据处理：根据仪器控制软件中的数据显示，进行数据处理，得到导电碳化硅单晶片的电阻率。

5.测量结果的处理和不确定度评估：根据测量的数据，利用数据处理软件进行计算，得到导电碳化硅单晶片的电阻率。同时，需要评估测量结果的不确定度，以保证结果的可靠性。

以上就是T/IAWBS011-2019导电碳化硅单晶片电阻率