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半导体CVD氧化硅工艺考核试卷

一、单项选择题（每题1分，共30题）

1.在半导体CVD氧化硅工艺中，通常使用哪种气体作为氧化剂？

A.N?

B.H?

C.O?

D.Ar

2.CVD氧化硅工艺通常在哪种温度范围内进行？

A.500-700°C

B.800-1000°C

C.1100-1300°C

D.1500-1700°C

3.CVD氧化硅工艺中，常用的硅源是？

A.SiH?

B.SiCl?

C.SiO?

D.Si

4.CVD氧化硅工艺中，哪种气体常用作载气？

A.N?

B.H?

C.O?

D.Ar

5.CVD氧化硅工艺中，氧化硅层的厚度通常通过哪种方式控制？

A.时间控制

B.温度控制

C.