SJT 12006-2025 功率半导体封装用活性金属钎焊(AMB)氮化铝陶瓷覆铜基板标准立项发展报告.docx

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功率半导体封装用活性金属钎焊(AMB)氮化铝陶瓷覆铜基板标准立项发展报告

EnglishTitle:StandardizationDevelopmentReport:ActiveMetalBrazing(AMB)AluminumNitrideCeramicCopper-CladSubstratesforPowerSemiconductorPackaging

摘要

随着新能源汽车、轨道交通、光伏发电及智能电网等领域的快速发展,功率半导体器件对封装基板性能提出了更高要求。活性金属钎焊(AMB)氮化铝陶瓷覆铜基板凭借优异的导热性能、高可靠性及良好的热循环稳定性,已成

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