APM4210K型25V 10A N沟道MOSFET技术手册.pdfVIP

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  • 2026-09-21 发布于北京
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APM4210K

N沟道增强型MOSFET

特性引脚描述

•25V/10A,RDS(导通电阻)=9m(典型值)

@

VGS=10V;RDS(导通电阻)=15m(典型值)

@

VGS=4.5V;密度单元设计、雪S18D

崩耐量、高可靠性及坚固性、S27D

SOP‑8封装

•S36D

•G45D

SOP

−8

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