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- 2026-09-21 发布于北京
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APM4210K
N沟道增强型MOSFET
特性引脚描述
•25V/10A,RDS(导通电阻)=9m(典型值)
@
VGS=10V;RDS(导通电阻)=15m(典型值)
@
VGS=4.5V;密度单元设计、雪S18D
崩耐量、高可靠性及坚固性、S27D
•
SOP‑8封装
•S36D
•G45D
•
SOP
−8
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