GBT 44807.3-2025 集成电路电磁兼容建模 第3部分：集成电路电磁干扰特性仿真模型 辐射发射建模（ICEM-RE）标准立项发展报告.docxVIP

集成电路电磁兼容建模第3部分：集成电路电磁干扰特性仿真模型辐射发射建模（ICEM-RE）标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:IntegratedCircuitElectromagneticCompatibilityModeling–Part3:SimulationModelsforIntegratedCircuitElectromagneticInterferenceCharacteristics–RadiatedEmissionModeling(ICEM-RE)

摘要

随着集成电路向高集成度、高工作频率和低功耗方向持续演进，芯片级电磁辐射发射问题日益突出，已成为制约电子系统电磁兼容性能的关键瓶颈。在此背景下，建立统一的集成电路电磁干扰特性仿真模型标准，对于提升我国集成电路产业的电磁兼容设计能力、缩短产品研发周期、降低测试成本具有重要战略意义。GB/T44807.3-2025《集成电路电磁兼容建模第3部分：集成电路电磁干扰特性仿真模型辐射发射建模（ICEM-RE）》于2025年12月31日正式发布，将于2026年7月1日起实施。该标准规定了集成电路辐射发射仿真模型的数据格式、建模方法、模型参数提取流程及验证要求，为集成电路电磁辐射发射特性的标准化描述与仿真提供了技术依据。本报告系