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集成光子学技术在算力光模块前代产品的应用前景与市场规模化量产预测

全局数据规范：全篇所有量化数据须标注来源与时间口径；历史数据须真实可溯，预测性数据须注明推断依据与关键假设；多采用表格呈现数据与对比信息。

本报告说明

本报告聚焦于集成光子学技术（硅光与薄膜铌酸锂）在算力前代光模块（400G及800G）中的应用前景与量产可行性。核心发现表明，随着AI算力集群对带宽需求呈指数级增长，传统可插拔光模块在功耗与成本上遭遇物理瓶颈，光电集成成为必然路径。当前，硅光技术在400G/800G节点已实现规模量产，而薄膜铌酸锂（TFLN）凭借低损耗与高带宽优势，正成为下一代800G乃至1.6T