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碳化硅功率器件的制造成本下降路径研究

一、引言

作为第三代半导体的核心产品之一，碳化硅功率器件具备耐高压、耐高温、高频、低导通损耗等显著优势，在新能源汽车、光伏并网、储能系统、轨道交通等领域有着广泛的应用前景，是支撑能源结构转型、实现低碳发展的关键基础器件。近年来，随着下游应用需求的快速增长，碳化硅功率器件的产业规模持续扩大，但成本过高始终是制约其大规模商业化落地的核心瓶颈——当前同规格碳化硅功率器件的市场价格仍是硅基主流功率器件的数倍，多数应用场景下的经济性不足，难以全面替代传统硅基器件。因此，系统探索碳化硅功率器件的制造成本下降路径，明确不同阶段的降本抓手，对于推动产业快速发展、支撑新能源领域技术升级具有重要的现实意义。基于此，本文将从碳化硅功率器件的成本构成拆解入手，逐层分析上游材料、中游制造、产业协同、前沿技术四个维度的降本路径，为推动产业商业化落地提供参考。

二、碳化硅功率器件的成本构成与核心瓶颈

（一）全产业链的成本结构拆分

碳化硅功率器件的全产业链涵盖衬底制备、外延生长、晶圆加工、封装测试四大核心环节，各环节的技术难度与资本投入差异较大，成本占比也存在明显区别。有研究团队对当前主流六英寸碳化硅场效应管的成本结构进行测算后发现，衬底环节是最大的成本来源，占比约为四成到五成；外延环节次之，占比约为两成到两成五；晶圆制造与封装测试环节分别占一成五到两成左右（张兴等，2021