应变作用下反位掺杂单层mos2磁各向异性的理论研究.docx

应变作用下反位掺杂单层MoS2磁各向异性的理论研究

摘要

有关研究发现，替代掺杂、缺陷、吸附、及施加应力等方法可以使非磁性的半导体材料产生磁性。本论文对应变作用下反位掺杂的单层MoS2体系的磁各向异性进行了基于密度泛函的第一性原理研究。具体包括对其结构、电子结构和磁性的影响以及应力对含有MoS2反位缺陷的单层MoS2电子子结构和磁性的调控。通过分析掺杂的Mo原子及其周围三个近邻的Mo原子各个d轨道对磁晶各向异性能的贡献以及态密度图显示：在8％的应变作用下，含有Mos2反位缺陷的单层二硫化钼体系具有垂直磁各向异性，磁各向异性能是0.4012meV。磁各向异性主要来源于掺杂的Mo原子及

其